2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規格的UFS4.0解決方案后，美光進一步縮小UFS4.0的外形規格以實現更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達4300MBps和4000MBps，較前代產品相比性能提升一倍，據悉，生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
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美光 UFS 存儲
2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內存和存儲的加持下，實現了升級版預測性和
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美光 內存 存儲 榮耀 Magic6 Pro 智能手機 LPDDR5X UFS 4.0
2024 年 2 月28日，中國上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS）4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業界領先的緊湊型UFS 封裝（9 x 13mm）?；谙冗M的232層3D NAND技術，美光UFS 4.0解決方案可實現高達 1 TB容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智能手機實現更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序寫入速
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美光 緊湊封裝型 UFS 智能手機設計 大容量電池
存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社近日宣布，該公司已開始提供業界首款(2)面向車載應用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品(1)。新產品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種新一代車載應用，諸如車載遠程信息處理系統、信息娛樂系統以及ADAS系統(4)。鎧俠車載UFS產品的性能顯著提升(5)，順序讀取速度提升約100%，順序寫入速度也提升約40%。通過性能提升，相關應用能夠更好地利用5G連接的優勢，帶來更快的系統啟動速度和更優質的用戶體驗。作為首家推出UFS技術
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鎧俠 UFS 4.0 嵌入式閃存
配備 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片組的智能手機現在可以運行設備上的 LLM（大型語言模型），使其具有與更大的機器相同的功能。 不幸的是，在手機上運行人工智能相關程序是一項資源密集型任務，不僅需要計算能力，還需要充足的內存和存儲空間，早些時候的一份報告指出，未來智能手機上的 20GB RAM 可能會成為支持此功能的標準 功能。 至于存儲，三星有一個解決方案，據傳是針對 AI 優化的新版本 UFS 4.0 標準。高級研究員還表示，運行 AI 操作將需要智能手機大
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UFS 三星 端口
為了繼續推動通用閃存(1)（UFS）技術的發展，全球存儲器解決方案的領導者鎧俠株式會社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動應用。鎧俠 UFS 產品性能的改進使這些應用程序能夠利用 5G 的連接優勢，從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。鎧俠UFS 4.0產品將BiCS FLASH? 3D 閃存和控制器集成在?JEDEC 標準封裝中，并結合了?MIPI M-PHY 5.0 和&n
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鎧俠 UFS 4.0 嵌入式閃存
2022年12月8日，中國上海 — 全球存儲器解決方案領導者KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發布的業界首款*1支持MIPI M-PHY*2 v5.0的通用閃存*3Universal Flash Storage (以下簡稱：UFS) 嵌入式閃存器件，目前已率先批量交貨，助力本土手機產商實現存儲速度飛躍。新一代UFS憑借高速讀寫性能，將應用于智能手機等其他消費類電子產品中，顯著提升產品的功能性和用戶的使用體驗。 &nb
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KIOXIA 鎧俠 UFS 嵌入式閃存器件
全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實現最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車規級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
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美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車載信息娛樂系統
西部數據近日新推出了一款嵌入式通用閃存存儲（UFS, Universal Flash Storage）設備——西部數據 iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手機的用戶體驗。作為最早支持實現UFS3.1 規范中Write Booster特性的供應商，西部數據在業界第一批提供了針對5G應用優化的UFS3.1閃存方案。 <西部數據 iNAND MC EU521嵌入式閃存設備>西部數據 iNAND MC EU521嵌入式閃存設備幫助移動開發人員充分利用UFS 3.
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UFS 解決方案
9月10日消息，據WinFuture報道，三星UFS存儲卡現身IFA2019展會，它被裝在了海信T91手機上。
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三星 存儲卡 UFS
Mar. 20, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND
Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季?！ ≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供應商
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NAND UFS SSD
在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND eMMC UFS
在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND UFS
在高速數字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統頻率的提升，并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不
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UFS emmc 數字接口
相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。據Android Authority總結，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領的技術之制高點?！ 【唧w來說，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時鐘，類似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率?！ 〈送?，LPDDR5還將引入
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LPDDR5 UFS 3.0
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